Semisuperjunction (SemiSJ)

پس از پرداخت، لينك دانلود فايل براي شما نشان داده مي شود

پرداخت و دانلود

Simulation study of semi-superjunction power MOSFET with SiGe pillar

a b s t r a c t
The feasibility of applying the semi-superjunction (Semi-SJ) with
SiGe-pillar (SGP) concept to Power MOSFET is studied in this
paper. The electrical performances of SGP are compared with the
conventional Power MOSFET through 3D device simulation work in
terms of specific-on resistance .Ron/, breakdown-voltage (BV), the
effect to change the Ge mole fraction in the SGP and the thermal
stabilization. The results show that the Ron is reduced by 44% on
the base of BVs reducing only 4.8%, tradeoff Ron vs. BV and thermal
stabilization of SGP are superior to that of conventional Semi-SJ
since the strain effect inducing into the SGP structure in the low
power device application.a

مطالعه­ ي شبيه­ سازي MOSFET قدرت نيمه-سوپراتصال با ستون SiGe

چكيده

امكان بكار بردن نيمه-سوپراتصال (Semi-Sj) با مفهوم ستون-SiGe(SGP) بر رويMOSFET قدرت در اين مقاله بررسي مي­شود. عملكردهاي الكتريكيSGP با MOSFET قدرت با MOSFET قدرت قديمي از طريق شبيه­سازي دستگاه 3Dبر حسب مقاومت ويژه­ي روشن بودن ، ولتاژ شكست ، تاثير تغيير كسر مولي Ge در SGP و پايداري حرارتي با مقايسه مي­شود. نتايج نشان مي­دهند كه  به اندازه­ي %44 بر پايه­ي كاهش BVها تنها به اندازه­ي %4.8 كاهش مي­يابد، مصالحه­ي در مقابل BV و پايداري حرارتي SGPنسبت به Semi-Sjبهتر است زيرا اثر كششيبر روي ساختار SGP در كاربرد دستگاه كم قدرت القا مي­شود.

پس از پرداخت، لينك دانلود فايل براي شما نشان داده مي شود

پرداخت و دانلود